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Diodes barrières Schottky NSVBAT54LT1G
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Diodes barrières Schottky NSVBAT54LT1G

  • NSVBAT54LT1G

  • onsemi

État de disponibilité:
Quantité:

Description


DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3

• Vitesse de commutation extrêmement rapide

• Basse tension directe - 0,35 volts (typique) à IF = 10 mAdc

• Préfixe NSV pour les applications automobiles et autres nécessitant

Exigences de changement de site et de contrôle uniques ;AEC−Q101

Qualifié et capable de PPAP

• Ces appareils sont sans Pb, sans halogène/sans BFR et sont RoHS

Conforme


Description détaillée


N° de pièce du fabricantNSVBAT54LT1G
Fabricantonsemi
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
Bande coupée (CT)
État du produitActif
TechnologieSchottky
Tension - CC inverse (Vr) (Max)30V
Courant - Moyenne redressée (Io)200mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If800 mV à 100 mA
VitessePetit signal =< 200mA (Io), n'importe quelle vitesse
Temps de récupération inverse (trr)5 ns
Courant - Fuite inverse @ Vr2 µA à 25 V
Capacité @ Vr, F10pF @ 1V, 1MHz
Type de montageMontage en surface
Paquet/caisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d'appareils du fournisseurSOT-23-3 (TO-236)
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 125°C
Numéro de produit de baseNSVBAT54

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https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/bat54lt1-d.pdf


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