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Diode de commutation au silicium BAS16TT1G
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Diode de commutation au silicium BAS16TT1G

  • BAS16TT1G

  • onsemi

État de disponibilité:
Quantité:

Description

DIODE GP 100V 200MA SC75 SOT416

Caractéristiques

• Ces appareils sont sans Pb, sans halogène/sans BFR et sont RoHS

Conforme

Les contraintes dépassant les valeurs nominales maximales peuvent endommager l'appareil.Les notes maximales sont uniquement des notes de stress.Le fonctionnement fonctionnel au-delà des conditions de fonctionnement recommandées n'est pas implicite.Une exposition prolongée à des contraintes supérieures aux conditions de fonctionnement recommandées peut affecter la fiabilité de l'appareil.

Description détaillée

N° de pièce du fabricantBAS16TT1G
Fabricantonsemi
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
Bande coupée (CT)
État du produitActif
TechnologieStandard
Tension - CC inverse (Vr) (Max)100V
Courant - Moyenne redressée (Io)200mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1,25 V à 150 mA
VitessePetit signal =< 200mA (Io), n'importe quelle vitesse
Temps de récupération inverse (trr)6 ns
Courant - Fuite inverse @ Vr1 µA à 75 V
Capacité @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
Type de montageMontage en surface
Paquet/caisseSC-75, SOT-416
Ensemble d'appareils du fournisseurSC-75, SOT-416
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 150°C
Numéro de produit de baseBAS16

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https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/bas16tt1-d.pdf

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