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Diode barrière Schottky NSVBAT54WT1G
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Diode barrière Schottky NSVBAT54WT1G

  • NSVBAT54WT1G

  • onsemi

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Description


DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70-3


Caractéristiques

• Vitesse de commutation extrêmement rapide

• Tension directe extrêmement basse − 0,35 V (Typ) @ IF = 10 mAdc

• Préfixe NSV pour les applications automobiles et autres nécessitant

Exigences de changement de site et de contrôle uniques ;AEC−Q101

Qualifié et capable de PPAP

• Ces appareils sont sans Pb, sans halogène/sans BFR et sont RoHS



Description détaillée


N° de pièce du fabricantNSVBAT54WT1
Fabricantonsemi
SérieAutomobile
EmballerBande et bobine (TR)
Bande coupée (CT)
État du produitActif
TechnologieSchottky
Tension - CC inverse (Vr) (Max)30V
Courant - Moyenne redressée (Io)200mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If800 mV à 100 mA
VitesseRécupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)5 ns
Courant - Fuite inverse @ Vr2 µA à 25 V
Capacité @ Vr, F10pF @ 1V, 1MHz
Type de montageMontage en surface
Paquet/caisseSC-70, SOT-323
Ensemble d'appareils du fournisseurSC-70-3 (SOT323)
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 125°C
Numéro de produit de baseNSVBAT54


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https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/bat54wt1-d.pdf

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