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Diode Schottky au carbure de silicium (SiC) FFSP2065BDN-F085
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Diode Schottky au carbure de silicium (SiC) FFSP2065BDN-F085

  • FFSP2065BDN-F085

  • onsemi

État de disponibilité:
Quantité:

Description


DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-3


Caractéristiques

• Température de jonction maximale 175 °C

• Classe d'avalanche 49 mJ

• Capacité de courant de surtension élevée

• Coefficient de température positif

• Facilité de mise en parallèle

• Pas de récupération inverse/pas de récupération directe

• Qualifié AEC−Q101

• Ces appareils sont sans Pb, sans halogène/sans BFR et sont RoHS

Conforme



Description détaillée

N° de pièce du fabricantFFSP2065BDN-F085
Fabricantonsemi
SérieAutomobile, AEC-Q101
EmballerTube
État du produitActif
TechnologieSiC (carbure de silicium) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (Max)650V
Courant - Moyenne redressée (Io)10A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1,7 V à 10 A
VitessePas de temps de récupération > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)0 ns
Courant - Fuite inverse @ Vr40 µA à 650 V
Capacité @ Vr, F421pF @ 1V, 100kHz
Type de montageÀ travers le trou
Paquet/caisseTO-220-3
Ensemble d'appareils du fournisseurTO-220-3
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de baseFFSP2065


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https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/ffsp2065bdn-f085-d.pdf


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