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Diode Schottky au carbure de silicium (SiC) FFSP1265A
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Diode Schottky au carbure de silicium (SiC) FFSP1265A

  • FFSP1265A

  • onsemi

État de disponibilité:
Quantité:

Description


DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L


Caractéristiques

• Température de jonction maximale 175 °C

• Indice d'avalanche 72 mJ

• Capacité de courant de surtension élevée

• Coefficient de température positif

• Facilité de mise en parallèle

• Pas de récupération inverse/pas de récupération directe

• Cet appareil est sans plomb, sans halogène/sans BFR et RoHS

Conforme


Description détaillée


N° de pièce du fabricantFFSP1265A
Fabricantonsemi
Série-
EmballerTube
État du produitActif
TechnologieSiC (carbure de silicium) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (Max)650V
Courant - Moyenne redressée (Io)15A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1,75 V à 12 A
VitessePas de temps de récupération > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)0 ns
Courant - Fuite inverse @ Vr200 µA à 650 V
Capacité @ Vr, F665pF @ 1V, 100kHz
Type de montageÀ travers le trou
Paquet/caisseTO-220-2
Ensemble d'appareils du fournisseurTO-220-2L
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de baseFFSP1265


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