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Diode Schottky FFSP0865B
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Diode Schottky FFSP0865B

  • FFSP0865B

  • onsemi

État de disponibilité:
Quantité:
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Description


DIODE SIL CARB 650V 10.1A TO220


Caractéristiques

• Température de jonction maximale 175 °C

• Avalanche évalué 33 mJ

• Capacité de courant de surtension élevée

• Coefficient de température positif

• Facilité de mise en parallèle

• Pas de récupération inverse / Pas de récupération avant

• Ces appareils sont sans Pb, sans halogène/sans BFR et sont RoHS

Conforme



Description détaillée


N° de pièce du fabricantFFSP0865B
Fabricantonsemi
Série-
EmballerTube
État du produitActif
TechnologieSiC (carbure de silicium) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (Max)650V
Courant - Moyenne redressée (Io)10.1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1,7 V à 8 A
VitessePas de temps de récupération > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)0 ns
Courant - Fuite inverse @ Vr40 µA à 650 V
Capacité @ Vr, F336pF @ 1V, 100kHz
Type de montageÀ travers le trou
Paquet/caisseTO-220-2
Ensemble d'appareils du fournisseurTO-220-2
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de baseFFSP0865


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https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/ffsp0865b-d.pdf


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