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DIODES hyper-rapides RHRP860-F102
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DIODES hyper-rapides RHRP860-F102

  • RHRP860-F102

  • onsemi

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Description


DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2



Description détaillée


Fabricantonsemi
Série-
EmballerTube
État du produitDernier achat
TechnologieStandard
Tension - CC inverse (Vr) (Max)600V
Courant - Moyenne redressée (Io)8A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If2,1 V à 8 A
VitesseRécupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)35ns
Courant - Fuite inverse @ Vr100 µA à 600 V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageÀ travers le trou
Paquet/caisseTO-220-2
Ensemble d'appareils du fournisseurTO-220-2
Température de fonctionnement - Jonction-65°C ~ 175°C
Numéro de produit de baseRHRP860


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https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/rhrp860-d.pdf

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DIODES hyper-rapides RHRP860-F102 Diodes de technologie Schottky Diodes de suppression de tension transitoire Diodes à basse tension directe Diodes de protection ESD
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