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DIODES FES10G
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DIODES FES10G

  • FES10G

  • onsemi

État de disponibilité:
Quantité:

Description


DIODE GEN PURP 400V 10A TO277-3


Caractéristiques

• Profil très bas : hauteur typique de 1,1 mm

• Temps de récupération ultrarapide

• Faible chute de tension directe

• Faible résistance thermique

• Fonctionnement très stable à température industrielle, 150 °C

• Conforme RoHS

• Composé de moulage vert selon la norme IEC61249

• Sans plomb conformément à la directive EU RoHS 2011/65/EU

• Avec l'option DAP uniquement

• Appareil industriel qualifié selon les normes AEC-Q101



Description détaillée

N° de pièce du fabricantFES10G
Fabricantonsemi
SérieAutomobile, AEC-Q101
EmballerBande et bobine (TR)
Bande coupée (CT)
État du produitActif
TechnologieStandard
Tension - CC inverse (Vr) (Max)400V
Courant - Moyenne redressée (Io)10A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1,2 V à 10 A
VitesseRécupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)30ns
Courant - Fuite inverse @ Vr5 µA à 400 V
Capacité @ Vr, F140pF @ 4V, 1MHz
Type de montageMontage en surface
Paquet/caisseTO-277, 3-PowerDFN
Ensemble d'appareils du fournisseurTO-277-3
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de baseFES10


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https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fes10d-d.pdf



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