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DIODE SIC FFSH5065B-F085
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DIODE SIC FFSH5065B-F085

  • FFSH5065B-F085

  • onsemi

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Description


DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2


Caractéristiques  

• Température de jonction maximale 175 °C  

• Classe d'avalanche 225 mJ  

• Capacité de courant de surtension élevée  

• Coefficient de température positif  

• Facilité de mise en parallèle  

• Pas de récupération inverse/pas de récupération directe  

• AEC-Q101 Qualifié et PPAP Capable  

• Ces appareils sont sans Pb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à RoHS


Description détaillée

N° de pièce du fabricantFFSH5065B-F085
Fabricantonsemi
SérieAutomobile, AEC-Q101
EmballerTube
État du produitActif
TechnologieSiC (carbure de silicium) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (Max)650V
Courant - Moyenne redressée (Io)50A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1,7 V à 50 A
VitessePas de temps de récupération > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)0 ns
Courant - Fuite inverse @ Vr40 µA à 650 V
Capacité @ Vr, F2030pF @ 1V, 100kHz
Type de montageÀ travers le trou
Paquet/caisseTO-247-2
Ensemble d'appareils du fournisseurTO-247-2
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de baseFFSH5065

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https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/ffsh5065b-f085-d.pdf


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