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DIODE DE REDRESSEMENT RGP10B
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DIODE DE REDRESSEMENT RGP10B

  • RGP10B

  • onsemi

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Description


DIODE GEN PURP 100V 1A DO41


Caractéristiques

• Fonctionnement 1,0 ampère à TA = 55 °C

sans emballement thermique.

• Haute température métallurgiquement

construction collée.

• Jonction sans cavité passivée au verre.

• IR typique inférieur à 1 μA.

• Commutation rapide pour un rendement élevé.


Description détaillée


N° de pièce du fabricantRGP10B
Fabricantonsemi
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
Bande coupée (CT)
État du produitActif
TechnologieStandard
Tension - CC inverse (Vr) (Max)100V
Courant - Moyenne redressée (Io)1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1,3 V à 1 A
VitesseRécupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)150ns
Courant - Fuite inverse @ Vr5 µA à 100 V
Capacité @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
Type de montageÀ travers le trou
Paquet/caisseDO-204AL, DO-41, axiale
Ensemble d'appareils du fournisseurDO-41
Température de fonctionnement - Jonction-65°C ~ 175°C
Numéro de produit de baseRGP10


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