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DIODE DE REDRESSEMENT MUR8100EG
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DIODE DE REDRESSEMENT MUR8100EG

  • MUR8100EG

  • onsemi

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Description


DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2


Features

• 20 mJ Avalanche Energy Guaranteed

• Excellent Protection Against Voltage Transients in Switching

Inductive Load Circuits

• Ultrafast 75 Nanosecond Recovery Time

• 175°C Operating Junction Temperature

• Popular TO−220 Package

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in.

• Low Forward Voltage

• Low Leakage Current

• High Temperature Glass Passivated Junction

• Reverse Voltage to 1000 V

• Pb−Free Packages are Available*


Detailed Description


Mfr Part #MUR8100EG
Mfronsemi
SeriesSWITCHMODE™
PackageTube
Product StatusActive
TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V
Current - Average Rectified (Io)8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 8 A
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)100 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 1000 V
Capacitance @ Vr, F-
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-2
Supplier Device PackageTO-220-2
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
Base Product NumberMUR8100

Download

https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/mur8100e-d.pdf



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