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DIODE DE REDRESSEMENT MUR4100ERLG
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DIODE DE REDRESSEMENT MUR4100ERLG

  • MUR4100ERLG

  • onsemi

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Description


DIODE GEN PURP 1KV 4A AXIAL

Caractéristiques

• 20 mJ d'énergie d'avalanche garantie  

• Excellente protection contre les transitoires de tension dans les circuits de charge inductive de commutation  

• Temps de récupération ultrarapide de 75 nanosecondes  

• Température de jonction de fonctionnement de 175 °C  

• Basse tension directe  

• Faible courant de fuite  

• Jonction passivée en verre à haute température  

• Tension inverse à 1 000 V  

• Ce sont des dispositifs sans plomb* Caractéristiques mécaniques :  

• Boîtier : époxy, moulé  

• Poids : 1,1 gramme (environ)  

• Finition : toutes les surfaces externes sont résistantes à la corrosion et les bornes sont facilement soudables  

• Température du plomb à des fins de soudage : 260 °C max.pendant 10 secondes • Expédié dans des sacs en plastique, 5 000 par sac  

• Bande et bobine disponibles, 1 500 par bobine, en ajoutant un suffixe 'RL' au numéro de pièce  

• Polarité : cathode indiquée par la bande de polarité


Description détaillée

N° de pièce du fabricantMUR4100ERLG
Fabricantonsemi
SérieSWITCHMODEMC
EmballerBande et bobine (TR)
Bande coupée (CT)
État du produitActif
TechnologieStandard
Tension - CC inverse (Vr) (Max)1000V
Courant - Moyenne redressée (Io)4A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1,85 V à 4 A
VitesseRécupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)100ns
Courant - Fuite inverse @ Vr25µA à 1000V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageÀ travers le trou
Paquet/caisseDO-201AA, DO-27, axiale
Ensemble d'appareils du fournisseurAxial
Température de fonctionnement - Jonction-65°C ~ 175°C
Numéro de produit de baseMUR4100


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https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/mur480e-d.pdf

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